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J-GLOBAL ID：201702252052437152   整理番号：17A0374401

ナノ構造及び粗粒タングステン中の照射誘起欠陥と水素に及ぼす結晶粒界の影響【Powered by NICT】

Influence of grain boundaries on the radiation-induced defects and hydrogen in nanostructured and coarse-grained tungsten

著者 (11件)： Valles G. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Panizo-Laiz M. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Gonzalez C. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Gonzalez C. (Departamento de electronica y Tecnologia de Computadores, Universidad de Granada, Fuente Nueva & CITIC, Aynadamar, E-18071, Granada, Spain) ,  Martin-Bragado I. (IMDEA Materials Institute, C/ Eric Kandel, 2, 28906, Getafe, Madrid, Spain) ,  Gonzalez-Arrabal R. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Gordillo N. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Iglesias R. (Departamento de Fisica, Universidad de Oviedo, C/ Calvo Sotelo, s/n, Oviedo, Spain) ,  Guerrero C.L. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Perlado J.M. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain) ,  Rivera A. (Instituto de Fusion Nuclear UPM, Jose Gutierrez Abascal, 2, 28006, Madrid, Spain)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 122  ページ： 277-286  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 照射誘起欠陥進化と300KでH保持に及ぼす結晶粒界(GB)の影響を調べた,実験と計算機シミュレーションの両方で。この目的のために,粗粒タングステン(CGW)とナノ構造タングステン(NW)試料は,それぞれ170keVと665keVのエネルギーでのHとCイオンを注入した。三つの異なるセットの実験を行った:(i)H単一注入,(ii)CとHの同時イオン注入,および(iii)CとH逐次注入。計算機シミュレーションにより,オブジェクトキネティックモンテカルロ(OKMC)法を用いて行った,これは新しいおよび既存の密度汎関数理論(DFT)データによりパラメータ化した。三セットの実験を単結晶タングステン(MW)と北西でシミュレートした,(i)GBは空格子点の量と分布に及ぼす明確な影響を持ち,MW試料よりも北西部における大きな空格子点濃度,(ii)H保持は,GBそれ自身と空格子点濃度の両方によって大きく影響される,(iii)H V_クラスタのサイズはGBの存在により僅かに影響される,(iv)は,実験結果と計算結果の比較から,GBはHの優先的な拡散経路として作用することを推測することができる結果となった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算機シミュレーション ,  パラメタリゼーション ,  *タングステン ,  イオン ,  単結晶 ,  *水素 ,  イオン注入 ,  クラスタ ,  *結晶粒界 ,  密度汎関数法 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： 拡散経路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： タングステン ,  水素 ,  モンテカルロシミュレーション ,  ナノ結晶 ,  照射効果

分類 (1件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノ構造 ,  粗粒 ,  タングステン ,  誘起 ,  欠陥 ,  水素 ,  結晶粒界