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J-GLOBAL ID：201702252070601396   整理番号：17A0473325

優れた電気特性をもつ高度に(100)配向した(Na_0 0.85K_0 15)0.5Bi_0 5TiO_3薄膜の簡単な低温製造法【Powered by NICT】

A simple, low-temperature fabrication method of highly (100)-oriented (Na_0.85K_0.15)_0.5Bi_0.5TiO₃ thin films with outstanding electric properties

著者 (10件)： Chi Q.G. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Chi Q.G. (School of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Chi Q.G. (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Dong J.F. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Dong J.F. (School of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Zhang C.H. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Zhang C.H. (School of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Chen Y. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Wang X. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China) ,  Lei Q.Q. (Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin, 150080, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 704  ページ： 336-342  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ゾル-ゲルスピンオン法により優れた電気的性質をもつ高品質(100)配向(Na_0 0.85K_0 0.15)0.5Bi_0 5TiO_3(NKBT)薄膜を作製する簡単で効果的な方法を提案した。基板と薄膜との間のLaNiO_3シード層を導入することにより,同時に450°Cと制御配向の低温での結晶化を達成した。X線回折とX線反射率測定は,500°CでアニールしたNKBT/LNO薄膜は,高度に(100)配向し,拡散を伴わない明確な界面を持ち,効果的に誘電率と漏れ電流を低減することを示した。加えて,その高(100)配向と明確な界面のために,500°CでアニールしたNKBT薄膜は,高い変位と高い焦電係数を持ち,以前に報告された膜のそれよりもより高い焦電性能指数を与えた。本研究は,低温度で高度に配向した無鉛薄膜を調製するための新しい簡単な方法を提供し,これらの膜の可能な応用を拡張したシリコン基板との統合。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  ゲル ,  *薄膜 ,  界面 ,  *低温 ,  性能指数 ,  誘電率 ,  電気的性質 ,  X線回折 ,  *電気特性
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  焦電係数 ,  X線反射率法 ,  シード層 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  表面と界面 ,  ゾル-ゲル過程 ,  拡散 ,  X線回折

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気特性 ,  配向 ,  薄膜 ,  低温 ,  製造法