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J-GLOBAL ID:201702252154209929   整理番号:17A0705688

オプトエレクトロニクス応用のための半導体ナノ結晶の材料的側面【Powered by NICT】

Materials aspects of semiconductor nanocrystals for optoelectronic applications
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 155-205  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2467A  ISSN: 2051-6355  CODEN: MHAOAL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体ナノ結晶量子ドットは最終的にフラットパネルディスプレイの様な商業的利用に始まったばかりである。一方,それらはまた,他のタイプのオプトエレクトロニクス素子の深刻な魅力的な性能レベルを示した。成熟はオプトエレクトロニクス部品を構築するために複合膜の形で他の材料と半導体ナノ結晶自身との併用の素形材関連側面の理解の深準位による大幅に推進されてきた。はロバストで強いデバイス性能を持つ半導体量子ドット構造をもたらしたことを合成とポスト合成化学的戦略を検討し,現在進行中の作業として,太陽光発電と光電気化学電池,光検出器,固体照明,光触媒,およびセンシング応用の分野における長期的発展をレビューした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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