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J-GLOBAL ID：201702252346323156   整理番号：17A0445979

パルスレーザ蒸着したCuドープZnO薄膜の紫外光検出特性【Powered by NICT】

UV photodetection properties of pulsed laser deposited Cu-doped ZnO thin film

著者 (3件)： Shewale P.S. (Convergence of IT Devices Institute, Dong-Eui University, Busan 47340, South Korea) ,  Yu Y.S. (Convergence of IT Devices Institute, Dong-Eui University, Busan 47340, South Korea) ,  Yu Y.S. (Department of Radiological Science, Dong-Eui University, Busan 47340, South Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 5  ページ： 4175-4182  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶非ドープおよび2at%銅(Cu)をドープした酸化亜鉛(ZnO)薄膜を,パルスレーザ蒸着(PLD)法を用いて600°CでSiO_2/n-Si基板上に成長させることに成功した。ZnO膜の構造,表面形態,元素組成およびUV検出特性に対するCu混入の影響を調べた。薄膜のX線回折研究は,それらが多結晶で六方晶ウルツ鉱型構造を持つことを示した;が,Cuドーピングはc軸に沿って優先配向を改善した。構成元素の化学状態をX線光電子分光法(XPS)により分析した。は混合一価/二価状態で存在することをドープした膜中のCuイオンの存在を示した。FE-SEM観察は,結晶学的結果を支持した。そのウルツ鉱型構造を変えることなくZnOナノ構造の格子へのCuイオンの効果的な導入は,エネルギー分散X線分光分析(EDX)により確認した。両膜の紫外光検出特性を室温で金属-semiconductor-金属(MSM)平面配置でさらに研究し,Cuドーピングにより大きく影響することが分かった。ZnO格子にCuを混入すると,薄膜の抵抗率を増加させる低い暗電流をもたらした。その結果,CuをドープしたZnO膜をベースにしたUV PDは365nmのピーク波長と5Vの印加バイアスで2mW/cm~2UV照射により約66.92の改善されたUV感度を実証した。MSMデバイスの再現性のあるUV検出性能も一定の時間間隔でオンオフUV光を周期的に確保された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  優先配向 ,  電気抵抗率 ,  *紫外線 ,  六方晶系 ,  ケイ素 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  *銅 ,  ナノ結晶 ,  ナノ構造 ,  *ドーピング ,  ウルツ鉱型構造 ,  表面形態

著者キーワード (6件)： ZnO薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  XRD ,  XPS ,  FE-SEM ,  UV光検出器

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ蒸着 ,  Cu ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  紫外光