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J-GLOBAL ID:201702252388021019   整理番号:17A0371599

ほう素または炭化ほう素をドープした炭化チタンの無加圧焼結【Powered by NICT】

Pressureless sintering of titanium carbide doped with boron or boron carbide
著者 (5件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 539-547  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ホウ素またはB_4Cの異なる含有量の炭化チタンセラミックは2100°Cから2300°Cの温度で常圧焼結した。酸化物不純物の除去のために,TiC結晶粒成長の開始温度は2100°Cに低下し,ほぼ完全に緻密な(>98%)TiCセラミックは2200°Cで得られた。TiB_2血小板と黒鉛フレークは焼結プロセス中に形成された。高速成長からTiC粒を遅らせ,TiC粒中にトラップされた細孔を減少させた。,ホウ素またはB_4CをドープしたTiCは2300°Cで純粋なTiC(96.67%)よりも高い相対密度(>99.5%)を達成できた。Vickers硬さ,破壊靭性および曲げ強度を含む機械的性質を調べた。TiCは,100:5.11の質量比によってB_4Cと混合したとき,最も高い破壊靭性(4.79±0.50MPam~1/2)と曲げ強さ(552.6±23.1MPa)が得られた。主な強靭化機構はTiB_2血小板の亀裂偏向および引抜を含んでいる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 
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