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J-GLOBAL ID：201702252501571227   整理番号：17A0214201

注入場環を持つ新しいGaNトレンチMIS障壁Schottky整流器【Powered by NICT】

Novel GaN trench MIS barrier Schottky rectifiers with implanted field rings

著者 (10件)： Zhang Y. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Sun M. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Liu Z. (Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, Singapore) ,  Piedra D. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Pan M. (IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA) ,  Gao X. (IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA) ,  Lin Y. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Zubair A. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Yu L. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Palacios T. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 10.2.1-10.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トレンチMIS構造とトレンチ場環を有する新規なGaN垂直Schottky整流器を実証した。新しい構造は逆ブロッキング特性を大きく増強したSchottky良好な順方向伝導を維持していた。逆漏れ電流は10~4倍を超えて改善し,破壊電圧は400Vから700Vに増加したが,低いターンオン電圧(0.8 V)とオン抵抗(2mΩcm~2)は保持された。250~°Cと高速スイッチング性能まで高温動作も実証した。この新しいデバイスは高出力と高周波数応用のための大きな可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ブロッキング ,  オン抵抗 ,  *窒化ガリウム ,  漏れ電流 ,  高速度 ,  HF【周波数】 ,  接続品質 ,  MIS構造 ,  *整流器
準シソーラス用語： 高出力 ,  高温動作 ,  ターンオン電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 環 ,  GaN ,  トレンチ ,  MIS ,  障壁 ,  整流器