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J-GLOBAL ID：201702252528144237   整理番号：17A0475490

光活性層の厚さに及ぼす電流密度の非単調な依存性【Powered by NICT】

Non-monotonic dependence of the current density on the thickness of the photoactive layer

著者 (6件)： Saracco G. (Istituto Italiano di Tecnologia, Centre for Sustainable Futures CSF@PoliTo, Corso Trento 21, Torino 10129, Italy) ,  Barbero G. (Department of Applied Science and Technology (DISAT), Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 29, Torino 10129, Italy) ,  Barbero G. (National Research Nuclear University MEPhI (Moscow Engineering Physics Institute), Kashirskoye shosse 31, Moscow 115409, Russian Federation) ,  Hernandez S. (Department of Applied Science and Technology (DISAT), Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 29, Torino 10129, Italy) ,  Alexe-Ionescu A.L. (Department of Applied Science and Technology (DISAT), Politecnico di Torino, Corso Duca degli Abruzzi 29, Torino 10129, Italy) ,  Alexe-Ionescu A.L. (Department of Physics, University Politehnica of Bucharest, Splaiul Independentei 313, Bucharest 060042, Romania)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 788  ページ： 61-65  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： dc極限における,j_0,電流密度の依存性を予測し,光活性半導体層,dの厚さ,電解質と接触できる数学モデルを開発した。モデルは外部バイアスの適用を考察した。理論解析は拡散モデルを用いて行われてきた,過剰電荷の生成項の存在下での拡散,入射光による,再結合項,過剰電荷キャリアに比例により移動する。j_0対Dの非単調な依存性が期待されていることを示した。小Dでは,光電流密度はDに比例し,比例定数は光活性半導体層における光の減衰と印加電位に関係している。大きなdの反対の極限では,電流は光強度と印加バイアスの両方に依存することを一定値になる傾向がある。本研究の理論的予測はBiVO_4膜に関する文献で報告された実験データと定性的に一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 数学モデル ,  電荷 ,  *電流密度 ,  バイアス ,  半導体 ,  再結合 ,  電解質 ,  *電流
準シソーラス用語： 光強度 ,  印加電圧 ,  電荷キャリア ,  入射光 ,  拡散モデル ,  理論解析 ,  *光活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 半導体における電荷の拡散モデル ,  光活性材料の電気応答 ,  光活性材料における生成-再結合効果

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 活性層 ,  厚さ ,  電流密度 ,  依存性