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J-GLOBAL ID：201702252528468469   整理番号：17A0195266

TFTリソグラフィーは,均一性を改善する。【JST・京大機械翻訳】

Improvement of uniformity of TFT lithography DICD

著者 (4件)： Zhang Yuhu (Hefei BOE Optoelectronics Technology Co.Ltd) ,  Yuehao (Hefei BOE Optoelectronics Technology Co.Ltd) ,  Wang Junmao (Hefei BOE Optoelectronics Technology Co.Ltd) ,  Li Yawen (Hefei BOE Optoelectronics Technology Co.Ltd)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 31  号： 10  ページ： 929-935  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： TFT(( FILM TRANSISTOR)のリソグラフィー(性 INSPECTION CRITICAL DIMENSION)の均一性を改善するために、リソグラフィーの差異性の原因を分析した。また,循環流れを改善した。循環プロセス改善の原理と方法について説明した。まず第一に,フォトリソグラフィーシステムの最適焦点面位置におけるレジストの吸収強度が最も大きく,DICDの最小値(DICD_(MIN))の原理に従って,システムの最適焦点面と一致し,DICDの差を減少させることができる。次に,各-DICD_(MIN)を,各リソグラフィー領域と最佳焦平面の位置の間のDICD差(計算-DICD_(MIN))を計算することによって計算し,DICD-DICD_(MIN)の差分値を決定した。次に,最小二乗法を用いて,リソグラフィー-DICD_(MIN)の平面方程式を適合させ,その平面はフォトリソグラフィーの平面であり,リソグラフィー平面とリソグラフィーシステムの最適焦点面の差異を反映した。最後に,この平面方程式をリソグラフィー平面として平面方程式を調整するために使用し,レジスト領域の高さを調整することによって,実際のリソグラフィー平面がシステムの最適焦点面に近づくようにした。結果は以下を示す。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最小二乗法 ,  フォトリソグラフィー ,  レジスト ,  *リソグラフィー
準シソーラス用語： 焦点面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： develop inspection critical dimension ,  the best focal plane ,  flatness ,  uniformity ,  the least square method

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： TFT ,  リソグラフィー ,  均一性