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J-GLOBAL ID：201702252773654437   整理番号：17A0449308

Ir上のエピタキシャル横方向被覆成長ダイヤモンドにおける転位伝搬に及ぼすストライプ方位の影響【Powered by NICT】

Effect of stripe orientation on dislocation propagation in epitaxial lateral overgrowth diamond on Ir

著者 (4件)： Ichikawa Kimiyoshi (Department of Electrical Engineering and Electronics, College of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 229-8558, Japan) ,  Kodama Hideyuki (Department of Electrical Engineering and Electronics, College of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 229-8558, Japan) ,  Suzuki Kazuhiro (TOPLAS ENGINEERING Com., LTD, Ebisui Build. 1-9-9, Nishi-Tsutsujigaoka, Chofu 182-0006, Tokyo, Japan) ,  Sawabe Atsuhito (Department of Electrical Engineering and Electronics, College of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 229-8558, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 72  ページ： 114-118  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類の異なる方法でストライプ核形成を用いたIr上のダイヤモンドのエピタキシャル横方向被覆成長(ELO)中の転位伝搬を,断面透過型電子顕微鏡法およびエッチピット法により調べた。ダイヤモンド{100}成長セクタを持つ<100>ストライプの場合,[001]転位と大きな傾斜転位が観察された。{111}成長セクタを持つ<110>ストライプでは,転位湾曲が優先[110]伝搬が観察された。これらの結果は,ELOにおけるストライプ方向はダイヤモンド成長中の転位の伝播に影響することを示した。成長部門の制御はヘテロエピタキシャルダイヤモンドにおける転位分布に影響を与えるに用いることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  核形成 ,  転位分布 ,  *エピタクシー ,  エッチピット
準シソーラス用語： 湾曲 ,  *横方向成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ダイヤモンド膜 ,  Heteroepitaxy ,  エピタキシャル横方向被覆成長 ,  転位

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ir ,  エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  ダイヤモンド ,  転位 ,  伝搬 ,  方位