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J-GLOBAL ID：201702252864483208   整理番号：17A0448967

(110)VO_2/TiO_2エピタキシャル薄膜における金属-絶縁体転移の厚さに依存する異方性【Powered by NICT】

Thickness-dependent anisotropy of metal-insulator transition in (110)-VO₂/TiO₂ epitaxial thin films

著者 (13件)： Hu Kai (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Yang Yuanjun (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Yang Yuanjun (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, PR China) ,  Hong Bin (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Zhao Jiangtao (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Luo Zhenlin (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Luo Zhenlin (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, PR China) ,  Li Xiaoguang (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230027, PR China) ,  Zhang Xingmin (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, PR China) ,  Gu Yueliang (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, PR China) ,  Gao Xingyu (Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, PR China) ,  Gao Chen (National Synchrotron Radiation Laboratory, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230029, PR China) ,  Gao Chen (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 575-580  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪変調金属-絶縁体転移(MIT)を調べる目的で歪んだVO_2/TiO_2(110)エピタキシャル薄膜における異方性電子輸送の厚さ依存性を報告した。MIT温度は約349K341J/Kから変化する膜厚,~340のバルクMIT温度よりも高いを増加した。より重要なことは,電気輸送特性は,面内[100]および[1 10]方向に沿った異方性と異方性はより厚い膜でさらに改善される。シンクロトロン放射X線逆空間マッピング(RSM)と原子間力顕微鏡を用いて,厚み依存性歪はVO_2薄膜中で異なるストライプ相状態を誘起し,MITの近傍で特徴的な異方性電子輸送の出現。これらの結果は,MITの結晶ファセット依存歪変調のより良い理解を提供し,VO_2薄膜の異方性の特徴に基づいたメタマテリアルを設計するための指針を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *異方性 ,  ファセット ,  *エピタクシー ,  原子間力顕微鏡 ,  シンクロトロン放射 ,  *薄膜 ,  *絶縁材料 ,  X線 ,  *金属-絶縁体転移 ,  膜厚 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： メタマテリアル ,  ストライプ相 ,  輸送特性 ,  厚み依存性 ,  電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 異方性金属-絶縁体転移 ,  異方性電子輸送 ,  エピタキシャル歪 ,  二酸化バナジウム薄膜 ,  ストライプ分域構造

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  金属-絶縁体転移 ,  厚さ ,  異方性