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J-GLOBAL ID：201702252875518669   整理番号：17A0095290

1T’-MOTE_2IN SITU成長の鍵となるプロセス技術【JST・京大機械翻訳】

Key Technology of 1T’-MoTe_2 In-Situ Growth

著者 (2件)： Xiong Siwei (State Key Laboratory of ASIC and System, Fudan University) ,  Sun Qingqing (State Key Laboratory of ASIC and System, Fudan University)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 8  ページ： 625-630  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 二元遷移金属カルコゲン化合物Di化Mu(MOTE_2)は、室温で適当なバンドギャップ幅と高い理論移動度のため、チャネル材料として次世代集積回路デバイスに応用され、普遍的な注目を集めている。1T’-MOTE_2薄膜を,テルル(TE)とモリブデン(MO)の固相反応により,真空雰囲気中で異なる温度でアニールした。RAMAN_2薄膜のRAMANスペクトル,X線光電子分光分析,および楕円偏光測定を用いて,MOTE_2薄膜の品質に及ぼす種々のアニーリング温度の影響を研究した。実験結果は,450°Cのアニーリング条件下で,薄膜の結晶粒度がより高く,半値幅が狭く,結晶品質が良好であることを示した。しかし、高温下で単体と化合物TEの再効果により、焼なまし温度が450°Cから600°Cに上昇した場合、薄膜の結晶粒度は明らかに減少し、半値幅は広くなり、結晶品質は著しく悪くなった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 楕円偏光 ,  移動度 ,  *結晶粒度 ,  固相反応 ,  品質 ,  半値幅 ,  集積回路 ,  X線光電子分光法 ,  バンドギャップ ,  焼なまし ,  薄膜 ,  高温
準シソーラス用語： 焼きなまし温度 ,  結晶品質 ,  アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： binary transition metal dichalcogenide (TMD) ,  1T’-molybdenum ditelluride (1T’MoTe_2) ,  in-situ growth ,  synthesis of thin film ,  reevaporation effect

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 成長 ,  鍵 ,  プロセス