文献

J-GLOBAL ID：201702253089800902   整理番号：17A0214216

サブ60mV/サブしきい値スイング,無視できるヒステリシス,と改良されたI_dsを持つ強誘電性HfZrO_x GeとGeSn PMOSFET【Powered by NICT】

Ferroelectric HfZrO_x Ge and GeSn PMOSFETs with Sub-60 mV/decade subthreshold swing, negligible hysteresis, and improved I_ds

著者 (10件)： Zhou Jiuren (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Han Genquan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Li Qinglong (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Peng Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Lu Xiaoli (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Zhang Chunfu (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Zhang Jincheng (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China) ,  Sun Qing-Qing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 12.2.1-12.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ60mV/decadeサブしきい値スイング(SS)(40~43mV/decade),無視できるヒステリシス,および強化されたIdsを持つ最初の強誘電(FE)HfZrO_x(HZO)GeとGeSn pMOSFETを報告した。450~°CでRTAを用いて,40~60mVのヒステリシスが減少したFEデバイスはFEのない対照デバイスと比較して顕著に改善されたSSとI_ds特性を示し,HZOにより誘起された負の静電容量(NC)効果によることを示した。FE GeとGeSn pFETは,1.0Vの駆動電圧で,それぞれ対照デバイスよりも22%と20%I_ds増強を達成した。FEデバイス中のNC効果は,ゲート漏れと反転容量特性により証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒステリシス ,  *強誘電性 ,  静電容量
準シソーラス用語： 駆動電圧 ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： サブ ,  サブしきい値 ,  スイング ,  ヒステリシス ,  強誘電性 ,  Ge ,  pMOSFET