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J-GLOBAL ID：201702253131182759   整理番号：17A0389405

高効率平面Sn-Pb二元ペロブスカイト太陽電池:一段階溶液製造プロセスによる大結晶粒の制御された成長【Powered by NICT】

High efficiency planar Sn-Pb binary perovskite solar cells: controlled growth of large grains via a one-step solution fabrication process

著者 (8件)： Li Lingang (Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Ministry of Education and Shanxi Province, College of Physics and Optoelectronics, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China. [e-mail]) ,  Zhang Fan ,  Hao Yuying ,  Sun Qinjun ,  Li Zhanfeng ,  Wang Hua ,  Cui Yanxia ,  Zhu Furong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 9  ページ： 2360-2367  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速Snを含むペロブスカイト太陽電池(PSC)の一段階溶液作製はSn系ペロブスカイト層の急速な結晶化に起因して非常に挑戦的である,貧弱な膜形態と低い表面被覆率をもたらした。本研究では,多段階溶媒処理により支援された,良く制御された一段階法を平面PEDOT:PSS基板上への高品質CH_3NH_3Pb(1 x)Sn_xI_3(0≦x≦1)ペロブスカイト膜の成長のために開発した。密充填と均一に分布した大きな結晶粒から成るCH_3NH_3Sn_0 0.25Pb_0 0.75I_3ペロブスカイト膜はN_2雰囲気下でのsec-ブチルアルコール溶媒工学とN,N ジメチルホルムアミド溶媒アニーリングを用いて得た。12.08%の最大電力変換効率(PCE)を持つCH_3NH_3Sn_0 0.25Pb_0 0.75I_3ベースPSCと11.01%の平均PCEが得られた。PSCsは優れた性能再現性,良好な空気安定性と弱いヒステリシス挙動を示した。PSCの性能の向上は,十分に結晶化したCH_3NH_3Sn_0 0.25Pb_0 0.75I_3膜に起因し,電荷キャリア再結合中の電荷キャリア輸送特性と還元の同時改善をもたらし,高性能Snを含むペロブスカイト太陽電池を得るために非常に有望な方法である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再現性 ,  *スズ ,  ヒステリシス ,  焼なまし ,  *結晶粒 ,  電荷 ,  表面被覆 ,  *太陽電池 ,  高速度 ,  キャリア再結合 ,  脂肪族カルボン酸 ,  カルボアミド
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  電荷キャリア ,  電力変換効率 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： ジメチルホルムアミド

タイトルに関連する用語 (9件)： 高効率 ,  Sn ,  Pb ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  段階 ,  溶液 ,  製造プロセス ,  結晶粒 ,  成長