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J-GLOBAL ID:201702253246265167   整理番号:17A0197065

チップレベルPHEMTの熱特性等価法【JST・京大機械翻訳】

Equivalent method of GaAs PHEMT MMIC for thermal simulation
著者 (6件):
資料名:
巻: 50  号: 10  ページ: 2002-2008  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1536A  ISSN: 1008-973X  CODEN: ZDXGFS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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GAAS/GAAS電子移動度トランジスタ(PHEMT)の単一チップマイクロ波集積回路(MMIC)の熱特性を正確に推定するために,チップレベルPHEMTの熱特性等価法を提案した。この方法はPHEMTの等価構造により,チップレイアウトと過孔の熱拡散効果を導入し,チップのKAのシミュレーションモデルを構築し,コアの横方向熱分布を変えずに,シミュレーションモデルの格子を大幅に簡素化し,チップのピーク温度のシミュレーション精度とシミュレーション速度を効果的に向上させることができる。この熱特性に基づき,GAAS PHEMT MMIC(単一チップマイクロ波集積回路)電力増幅器チップとGAAS PHEMT MMICドライバ増幅器チップをANSYS ICEPAKによりモデル化し,シミュレーションした。2つのチップの温度を赤外線画像によって測定し,シミュレーション結果は測定したチップのピーク温度と一致した。このチップのPHEMTの熱特性の等価方法に基づいて、チップの熱シミュレーションによるピーク温度と実測結果の誤差は2%以内に制御されることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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