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J-GLOBAL ID：201702253287920425   整理番号：17A0733809

ESDストレス下でのNウェル拡散抵抗の潜在的損傷【JST・京大機械翻訳】

Latent damage in n-well diffused resistor under ESD stress

著者 (3件)： SHI Xiaofeng (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology) ,  LUO Hongwei (The No.5 Research Institute of Mil) ,  LI Bin (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 28  号： 9  ページ： 20-23  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 抵抗は静電放電(ELECTROSTATIC DISCHARGE,ESD)保護回路において、隔離と分圧の役割を果たす。本論文では,100NSのパルス幅の下で,伝送(LINE LINE PULSING,TLP)試験システムを用いて,ESD応力下のN型拡散抵抗の動作特性を研究した。結果によると、N型の拡散抵抗は初回の瞬態撃穿(瞬態撃の電圧が79.0V、瞬態撃の電流が1.97A)を発生した後、陽極のN~+-N構造が破壊されるため、内部構造はすでに潜在的な損傷が現れ、隔離と分圧の作用がない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *分圧 ,  電圧 ,  パルス幅 ,  電流 ,  内部構造
準シソーラス用語： 動作特性 ,  保護回路 ,  静電気放電 ,  *拡散抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： n-well diffused resistor ,  electrostatic discharge(ESD) ,  latent damage

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  プラズマ装置  (BJ02082I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ESD ,  ストレス ,  ウェル ,  拡散抵抗 ,  損傷