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J-GLOBAL ID：201702254386810516   整理番号：17A0393588

レーザ誘起半導体プラズマ分光法に及ぼす試料温度の影響【Powered by NICT】

Effect of sample temperature on laser-induced semiconductor plasma spectroscopy

著者 (6件)： Liu Yang (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Tong Yue (Aviation University of Air Force) ,  Li Suyu (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Wang Ying (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Chen Anmin (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Jin Mingxing (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University)
資料名： Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban)  (Zhongguo Guangxue Kuaibao(Yingwenban))
巻： 14  号： 12  ページ： 123001-1-123001-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2637A  ISSN： 1671-7694  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ誘起半導体(GeおよびSi)プラズマの発光スペクトルの温度依存性を調べた。試料温度とスペクトル強度の変化は,レーザアブレーション質量の変化を示した。ターゲット表面の反射率は減少した試料を加熱すると,これは試料の表面に結合したレーザエネルギーの増加をもたらし,最終的に高いスペクトル強度を生成した。スペクトル強度は,低温での場合と比較して高い温度で数倍に増強した。試料温度が50°Cから300°Cに増加するとGeのスペクトル強度は,589.33nmで422.66nm,および3時間で1.5倍まで増強されるより強力なレーザまたは高い試料温度とパルスより少ないエネルギーによる同じ発光強度を得ることができた。実験観察に基づいて,事前加熱試料はレーザ誘起半導体プラズマ分光法の発光強度を向上させることができると結論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  *プラズマ ,  レーザアブレーション ,  *半導体 ,  *レーザ ,  発光スペクトル ,  反射率 ,  *プラズマ分光 ,  パルス ,  温度依存性 ,  低温 ,  スペクトル線強度
準シソーラス用語： 発光強度 ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 核化学・放射化学一般  (CB10010V) ,  質量分析計  (BD02060M)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザ誘起 ,  半導体プラズマ ,  分光法 ,  試料