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J-GLOBAL ID：201702254391190794   整理番号：17A0758045

SiCパワーMOSFETの広範囲PWM動作のためのインパルス変圧器に基づく次側自己出力型ゲート駆動回路【Powered by NICT】

Impulse transformer based secondary-side self-powered gate-driver for wide-range PWM operation of SiC power MOSFETs

著者 (3件)： Garcia Jorge (Dept of Electrical Engineering, University of Oviedo, LEMUR Research Group, Gijon, Spain) ,  Gurpinar Emre (The University of Nottingham, PEMC Research Group, Nottingham, UK) ,  Castellazzi Alberto (The University of Nottingham, PEMC Research Group, Nottingham, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 59-63  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiC MOSFETのための分離したゲート駆動回路の解,二次側に提供するターンオンとターンオフゲート信号と適切なゲート制御に必要なパワー同時に磁気変圧器に基づいて提案した。これは専用DC-DC絶縁型コンバータと光結合器の使用を回避した。元のパルス信号はインパルスに変換し,任意のデューティ比運転における変圧器飽和を回避した。得られた変圧器の小さなサイズは,従来の溶液(磁気的またはオプトカプラ+電源で基づく)対全体のサイズ減少を可能にした。これはよりコンパクトな設計,高出力密度応用とマルチレベルコンバータにおける臨界を可能にする。運転者の基本動作を述べた後,2kWプロトタイプ上での実験結果により,提案の実現可能性を実証した。この設計は小さな設計変化とGaNデバイスにも適していることを言及する価値があるCopyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光結合器 ,  *炭化ケイ素 ,  プロトタイプ ,  *パルス ,  *ゲート回路 ,  磁気 ,  窒化ガリウム ,  変換器 ,  *変圧器 ,  フォトカプラ ,  ターンオン
準シソーラス用語： マルチレベルコンバータ ,  デューティサイクル ,  SiC-MOSFET ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  PWM ,  インパルス ,  変圧器 ,  自己 ,  ゲート駆動回路