文献

J-GLOBAL ID：201702254402908120   整理番号：17A0759232

多層六方晶窒化ほう素の結晶粒界支援バイポーラとしきい値抵抗スイッチングの共存【Powered by NICT】

Coexistence of Grain-Boundaries-Assisted Bipolar and Threshold Resistive Switching in Multilayer Hexagonal Boron Nitride

著者 (16件)： Pan Chengbin (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Ji Yanfeng (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Xiao Na (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Hui Fei (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Tang Kechao (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, CA, 94305, USA) ,  Guo Yuzheng (Rowland Institute, Harvard University, Cambridge, MA, 02142, USA) ,  Xie Xiaoming (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China) ,  Puglisi Francesco M. (DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, 42122, Reggio Emilia, Italy) ,  Larcher Luca (DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, 42122, Reggio Emilia, Italy) ,  Miranda Enrique (Electronic Engineering Department, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193, Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Jiang Lanlan (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Shi Yuanyuan (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Valov Ilia (Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425, Juelich, Germany) ,  McIntyre Paul C. (Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, CA, 94305, USA) ,  Waser Rainer (Forschungszentrum Juelich GmbH, 52425, Juelich, Germany) ,  Lanza Mario (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Collaborative Innovation Center of Suzhou Nanoscience and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201604811  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子デバイスの能力を改善するための2D材料の使用は,最近学界および工業の両方において多くの関心を集めている有望な戦略である。しかし,2D金属性と半導性材料の研究は,十分に確立されているが,2次元絶縁体の詳細な知識と応用はまだ少ない。本論文では,多層六方晶窒化ホウ素(h BN)における抵抗スイッチング(RS)の存在は,種々の電極材料を用いて研究した,調整可能な能力を持つH BNベース抵抗ランダムアクセスメモリのファミリーである設計された。素子は 0.4Vまでの低動作電圧,10~6までの高い電流オン/オフ比,及び10時間以上の長い保持時間を持つ自由双極性およびしきい値タイプのRSを形成する共存だけでなく,低い変動性を示した。RSは多結晶h-BNスタック,隣接電極からの金属イオンの浸透を可能にする中の結晶粒界(GB)により駆動される。この反応はB空孔の発生,GBsでより豊富なによって促進することができる。著者らの知識の及ぶ限りでは,h-BNはバイポーラとしきい値RSの共存,付加的機能性と応用への扉を開く可能性があることを示した最初の2次元材料である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 保持時間 ,  半導性 ,  多結晶 ,  二次元 ,  *多層 ,  電極 ,  絶縁体 ,  金属性 ,  金属イオン ,  電極材料 ,  *結晶粒界 ,  電子素子 ,  *抵抗スイッチング ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 双極性 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  抵抗スイッチング ,  RRAM

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多層 ,  六方晶窒化ほう素 ,  結晶粒界 ,  支援 ,  バイポーラ ,  しきい値 ,  抵抗スイッチング ,  共存