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J-GLOBAL ID：201702254455812115   整理番号：17A0363799

異なる銅含有量の下でのCu_2ZnSnS_4成長における第二相の形成機構【Powered by NICT】

Formation mechanism of secondary phases in Cu₂ZnSnS₄ growth under different copper content

著者 (8件)： Chen Guilin (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Chen Guilin (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Wang Weihuang (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Zhang Jin (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 186  ページ： 98-101  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4(CZTS)吸収体層中の二次相の形成機構である太陽電池CZTS薄膜の開発が必要である。この目的のため,XRD,RamanおよびSEMを用いて,種々の銅含有量で成長させたCZTS薄膜における相共存を研究した。CuリッチCZTS薄膜の表面は粗く,第二相Cu_xSは前面相として出現した。の他に,他の二次相ZnSは非化学量論組成のCZTS薄膜(CuリッチあるいはCu不良),325nmで励起されたRaman分析を用いたZnSの二次と三次によって証明されたを前面及び背面領域に向かって偏析する。組成は化学量論としてのみ純相CZTSが存在する。純粋相CZTSの調製は組成に敏感で,正確な組成制御がCZTS成長において重要な役割を果たしていることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 偏析 ,  太陽電池 ,  *硫化亜鉛 ,  *第二相 ,  化学量論 ,  薄膜 ,  *銅 ,  吸収体 ,  X線回折
準シソーラス用語： 組成制御 ,  化学量論組成 ,  CZTS ,  *形成機構 ,  Cu含有量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CZTS薄膜 ,  二次相 ,  Semiconductors ,  Raman

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 銅含有量 ,  成長 ,  第二相