不揮発性メモリ書込みを併用した再構成可能磁気論理【Powered by NICT】

Luo Zhaochu; Lu Ziyao; Xiong Chengyue; Zhu Tao; Wu Wei; Zhang Qiang; Wu Huaqiang; Zhang Xixiang; Zhang Xiaozhong

文献

J-GLOBAL ID：201702254618700758 整理番号：17A0749438

不揮発性メモリ書込みを併用した再構成可能磁気論理【Powered by NICT】

Reconfigurable Magnetic Logic Combined with Nonvolatile Memory Writing

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著者 (9件)：

Luo Zhaochu

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(Key Laboratory of Advanced Materials (MOE) and Beijing National Center for Electron Microscopy, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)

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Lu Ziyao

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Xiong Chengyue

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Zhu Tao

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Wu Huaqiang

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Zhang Xixiang

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資料名：

Advanced Materials (Advanced Materials)

Advanced Materials について

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巻： 29 号： 4 ページ： ROMBUNNO.201605027 発行年： 2017年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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磁気論理では,四つの基本的なBoole論理演算は,高出力比(>10~3%)を用いて室温で磁気ビットによってプログラムできる。同じクロックサイクル,内蔵スピンH all効果から利益を得る,論理結果は全電気法を用いた磁気ビットに直接書き込まれる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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