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J-GLOBAL ID：201702254679318138   整理番号：17A0210989

マンガンドープBiFeO₃-BaTiO₃高温圧電セラミック:相構造および欠陥機構

Manganese-Doped BiFeO₃-BaTiO₃ High-Temperature Piezoelectric Ceramics: Phase Structures and Defect Mechanism

著者 (7件)： Yao Zhonghua (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Xu Chaobing (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Hao Hua (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Xu Qi (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Hu Wei (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Cao Minghe (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China) ,  Liu Hanxing (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan, 430070, China)
資料名： International Journal of Applied Ceramic Technology  (International Journal of Applied Ceramic Technology)
巻： 13  号： 3  ページ： 549-553  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： W1929A  ISSN： 1546-542X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有力な鉛フリー高温圧電材料として,バルクBiFeO₃-BaTiO₃系について研究した。多価マンガンドープ0.8BiFeO₃-0.2BaTiO₃セラミックには正方晶相と菱面体晶相が共存していたが,Mnドープにより抵抗が向上し,硬質特性を示した。0.12wt%Mnにおいて最適な特性が得られ,T_C~637°Cを示した。Mn改良組成におけるT_Cの上昇は,アクセプタのドーピングによる内部電気バイアス場の出現に帰せられた。良好な電気的性質と高いT_Cの組合せのため,これらのセラミックは高温圧電デバイスに適している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 圧電材料 ,  機能性セラミック ,  ビスマス化合物 ,  フェライト ,  鉄化合物 ,  *チタン酸バリウム ,  ドーピング ,  マンガン ,  *微細構造 ,  結晶構造 ,  *電気的性質 ,  正方晶系 ,  三方晶系 ,  電気抵抗率 ,  Curie温度 ,  耐熱性 ,  温度依存性 ,  X線回折分析 ,  漏れ電流 ,  誘電率 ,  誘電損失
準シソーラス用語： *鉛フリー圧電セラミックス ,  ビスマスフェライト ,  微細組織 ,  組成依存性 ,  圧電特性 ,  菱面体晶系

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (7件)： マンガン ,  ドープ ,  BiFeO3 ,  BaTiO3 ,  圧電セラミック ,  相構造 ,  欠陥