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J-GLOBAL ID:201702254951844713   整理番号:17A0376507

フレキシブル基板上の全インクジェット印刷低電圧有機電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

All ink-jet printed low-voltage organic field-effect transistors on flexible substrate
著者 (5件):
資料名:
巻: 38  ページ: 186-192  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,フレキシブル基板上の全インクジェット印刷(IJP)低電圧有機電界効果トランジスタ(OFET)を報告した。OFETは,カプセル化層のための半導体層とCYTOPとしてポリスチレン(PS)とブレンドしたゲート誘電体,6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)-ペンタセン(TIPS-ペンタセン)のためのソース/ドレイン/ゲート電極のためのIJP銀(Ag),ポリ(4 ビニルフェノール)(PVP)を用いた。全て印刷プロセスを単一実験室インクジェットプリンタDimatix DMP2831を用いた大気環境で行った。すべてIJPデバイスは3Vまでの低動作電圧の性能,0.155decadeの小さいサブしきい値スイング(SS),0.26cm~2V~ 1s~ 1の移動度, 0.17Vのしきい値電圧(Vth)と3.1×10~5のオン/オフ比,62.5%の収率を示した。界面工学と適切なプロセス最適化により,本研究は低コストフレキシブルプリントエレクトロニクスのための有望な低電圧全IJP装置プラットフォームを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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トランジスタ 
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