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J-GLOBAL ID：201702255049179337   整理番号：17A0376563

チオフェンベースの電子供与性とチエノピロールジオンベース電子受容性重合体のバルクヘテロ接合センシング層を持つ全高分子フォトトランジスタ【Powered by NICT】

All-polymer phototransistors with bulk heterojunction sensing layers of thiophene-based electron-donating and thienopyrroledione-based electron-accepting polymers

著者 (8件)： Nam Sungho (Organic Nanoelectronics Laboratory, Department of Chemical Engineering, School of Applied Chemical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Nam Sungho (Department of Physics, Division of Mathematical, Physical and Life Sciences, University of Oxford, Oxford OX1 3PD, United Kingdom) ,  Nam Sungho (Department of Engineering Science, Division of Mathematical, Physical and Life Sciences, University of Oxford, Oxford OX1 3PD, United Kingdom) ,  Kim Hwajeong (Organic Nanoelectronics Laboratory, Department of Chemical Engineering, School of Applied Chemical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Kim Hwajeong (Priority Research Center, Research Institute of Advanced Energy Technology, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea) ,  Bradley Donal D.C. (Department of Physics, Division of Mathematical, Physical and Life Sciences, University of Oxford, Oxford OX1 3PD, United Kingdom) ,  Bradley Donal D.C. (Department of Engineering Science, Division of Mathematical, Physical and Life Sciences, University of Oxford, Oxford OX1 3PD, United Kingdom) ,  Kim Youngkyoo (Organic Nanoelectronics Laboratory, Department of Chemical Engineering, School of Applied Chemical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 39  ページ： 199-206  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子供与(p型)と電子受容性(n型)重合体のバルクヘテロ接合(BHJ)ナノ層から成る全高分子フォトトランジスタは,光感知と光スイッチングデバイスのような応用のための魅力的な候補である。ポリ(3 ヘキシルチオフェン)(P3HT)とポリ[(4,8-ビス(2-エチルヘキシルオキシ)-ベンゾ[1,2-b:4,5-b]-ジチオフェン)-2,6-ジイル-alt-(N-2-エチルヘキシルチエノ[3,4-c]ピロール-4,6-ジオン)-2,6-ジイル]](PBDTTPD)重合体のBHJ層に基づく効率的な緑色光センシング全高分子フォトトランジスタを報告した。フォトトランジスタ特性を理解するために,すべてのデバイスは異なる入射パワー強度をもつ緑色単色光(555 nm)に曝露した。結果は,P3HT:PBDTTPD(80:20)層が効率的な電荷の分離と輸送の元のP3HT層よりもより有利であることを示した。P3HT:PBDTTPD(80:20)層を有する素子の応答値は33.3A/W,元の純粋P3HTまたはP3HT:PBDTTPD(60:40)層で得られたものより25及び28倍に達した。P3HT:PBDTTPD(80:20)フォトトランジスタの増強デバイス性能が,効率的な電荷分離,エッジオン分子鎖配向,比較的滑らかな表面形態,これは横方向の改善された電荷輸送を促進するかもしれないに起因している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷分離 ,  スイッチング素子 ,  分子鎖 ,  *高分子 ,  *フォトトランジスタ ,  単色光 ,  ナノシート ,  電荷輸送 ,  表面形態 ,  光センシング ,  ナノ薄膜
準シソーラス用語： *バルクヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 全高分子フォトトランジスタ ,  高分子/高分子バルクヘテロ接合 ,  エッジオン ,  Responsivity ,  横方向電荷輸送

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (8件)： チオフェン ,  電子 ,  受容性 ,  重合体 ,  バルクヘテロ接合 ,  センシング ,  高分子 ,  フォトトランジスタ