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J-GLOBAL ID：201702255085568803   整理番号：17A0854964

ns~2イオンをドープしたGa_2O_3のシンチレーションと光学的性質の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study of scintillation and optical properties of Ga₂O₃ doped with ns² ions

著者 (5件)： Usui Yuki (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Japan) ,  Oya Tomohisa (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Japan) ,  Okada Go (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Japan) ,  Kawaguchi Noriaki (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Japan) ,  Yanagida Takayuki (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Japan)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 90  ページ： 266-272  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 名目上1%ns~2イオン(In,Tl,Sn,Pb,Sb,Bi)をドープしたGa_2O_3結晶はフローティングゾーン(FZ)法により合成した,光学的およびシンチレーション特性を系統的に評価した。ピーク放出はX線照射下のシンチレーションの4.68eVと約3.0eVの励起エネルギー下で光ルミネセンス(PL)の2.8eV付近で観測した。PLとシンチレーション減衰時間は三指数関数的減衰関数の和で近似した;および誘導された減衰時間はいくつかの十ナノ秒の範囲であり,百ナノ秒と数マイクロ秒の。最も遅い成分が最も速いがnsnp ns~2遷移に起因し,中間成分は欠陥関連発光の原因であった。本試料の中で,SnドープGa_2O_3は最高のシンチレーション光収率を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ秒 ,  結晶 ,  *ドーピング ,  X線照射 ,  *シンチレーション ,  発光 ,  励起エネルギー ,  減衰時間 ,  *光学的性質 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 光収率 ,  マイクロ秒 ,  指数関数的減衰 ,  シンチレーション減衰時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： シンチレーション ,  Ga_2O_3 ,  2イオンを~ns

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  ドープ ,  シンチレーション ,  光学的性質 ,  研究