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J-GLOBAL ID：201702255141886264   整理番号：17A0475050

三重ゲートフィンFETと横方向ゲートオールアラウンドナノワイヤFETのためのドーピング戦略の進歩とデバイス性能への影響【Powered by NICT】

Advances on doping strategies for triple-gate finFETs and lateral gate-all-around nanowire FETs and their impact on device performance

著者 (5件)： Veloso A. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  De Keersgieter A. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Matagne P. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Horiguchi N. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (Imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 2-12  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケールFinFETデバイス作製のための追求重要なドーピング戦略の幾つかをレビューし,接合工学,寄生と直列抵抗制御とデバイス性能,信頼性と変動性へのそれらの影響に関するこのデバイスアーキテクチャが直面している重要な統合課題のいくつかを扱う。は,イオン注入のような通常のドーピング法を用いての拡張可能性を調べ,デバイスの薄い物体の共形ドーピングを可能にする新しい方法の使用を検討し,ゲートオールアラウンドナノワイヤFET,本質的に三重ゲートフィンFETの究極のスケーリング限界として考えることが,無接合対反転モード型トランジスタを評価した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  *イオン注入 ,  トランジスタ ,  直列抵抗 ,  *ゲートオールアラウンド構造
準シソーラス用語： *ナノワイヤトランジスタ ,  *ゲートオールアラウンド ,  *FinFET ,  *三重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 三重ゲートフィンFET ,  ゲートオールアラウンドナノワイヤFET ,  ドーピング ,  反転モードデバイス ,  無接合トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 三重 ,  ゲート ,  フィンFET ,  横方向 ,  ゲートオールアラウンド ,  ナノワイヤFET ,  ドーピング ,  戦略