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J-GLOBAL ID:201702255208567820   整理番号:17A0665207

ZnSeナノ壁の形態制御合成と電子電界放出特性【Powered by NICT】

Morphology-controlled synthesis and electron field emission properties of ZnSe nanowalls
著者 (9件):
資料名:
巻:号: 18  ページ: 10631-10637  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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12 180°Cで熱水的にZn基板上に作製したZnSeナノウォール。ZnSeナノウォールの構造,形態,及び化学組成をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),エネルギー分散型X線分析(EDS),およびRaman散乱により決定した。ヒドラジン水和物(N_2H_4H_2O)の濃度はZnSeナノウォールの形成と形態に重要な役割を果たし,XRDは,すべてのZnSeナノ結晶は立方晶閃亜鉛鉱型構造を有することを明らかにした。最適形態をもつZnSeナノウォールは1.51Vμm~ 1のターンオン電界と4797の増強因子をもつ良好な電界電子放出性能を提供した。形成機構を考察した。エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスにおける応用のための単純で制御された調製法とZnSeナノウォールの良好な特性良好に予言された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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塩  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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