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J-GLOBAL ID：201702255295887866   整理番号：17A0156821

ドープしたGAAS光電陰極の光電特性を解析した。【JST・京大機械翻訳】

Photoemission Performance Analysis of GaAs Photocathodes with Different Doping Concentrations

著者 (7件)： Zhao Jing (School of Communication Engineering, Nanjing Institute of Technology) ,  Qin Cui (School of Communication Engineering, Nanjing Institute of Technology) ,  Liu Weiwei (School of Communication Engineering, Nanjing Institute of Technology) ,  Yu Huilong (School of Communication Engineering, Nanjing Institute of Technology) ,  Qu Wenting (School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology) ,  Chang Benkang (School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology) ,  Zhang Yijun (School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology)
資料名： Guangxue Xuebao  (Guangxue Xuebao)
巻： 36  号： 10  ページ： 1023001_01-1023001_07  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2088A  ISSN： 0253-2239  CODEN： GUXUDC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 同じ均一ドーピングまたは指数ドーピングを有する反射型(R-MODE)および透過型(T-MODE)GAAS光電陰極サンプルを,分子ビーム成長技術によって調製した。オンラインスペクトル応答試験システムを用いて,それらのスペクトル応答を測定し,実験曲線をフィッティングし,電子拡散長と積分感度を得た。結果により、プロセス処理後のT-MODEサンプルは、均一ドーピングの場合、その電子拡散長さの減少量は指数ドーピングの場合の2倍であり、積分感度の低下率は前者より3%少ないため、指数ドーピング方式は部品の製造プロセスの陰極材料層の影響を低減するのに有利であることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分子ビーム ,  積分 ,  *光電陰極 ,  生産工程 ,  透過 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 電子拡散 ,  スペクトル応答 ,  *光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： optical devices ,  GaAs photocathode ,  doping way ,  quantum efficiency fitting ,  electron diffusion length ,  integral sensitivity

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  GaAs ,  光電陰極 ,  光電特性 ,  解析