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J-GLOBAL ID：201702255372122179   整理番号：17A0302153

歪シリコンGAA TFETの解析的しきい値電圧モデル【Powered by NICT】

Analytical threshold voltage model for strained silicon GAA-TFET

著者 (3件)： Kang Haiyan (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hu Huiyong (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Wang Bin (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 118501_01-118501_05  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は低電力応用のための有望なデバイスである。TFETの歪シリコンゲートでは,2次元Poisson方程式を解いて得られたチャネル表面電位と電場に基づいて,解析的しきい値電圧モデルを提案した。デバイスパラメータ,歪(Geモル分率x)のようなゲート酸化膜厚,ゲート酸化膜誘電率,及びチャネル長によるしきい値電圧の変化も調べた。しきい値電圧モデルは,ピーク相互コンダクタンス法を用いて抽出し,TCADシミュレーションから得られた結果と良好な一致により検証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Poisson方程式 ,  *ケイ素 ,  モル分率 ,  相互コンダクタンス ,  チャネル ,  表面電位 ,  誘電率 ,  二次元 ,  電場
準シソーラス用語： TCAD ,  チャネル長 ,  ゲート酸化膜 ,  *歪シリコン ,  *閾値電圧 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： トンネル電界効果トランジスタ ,  しきい値電圧 ,  歪んだシリコン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪シリコン ,  TFET ,  解析 ,  しきい値電圧 ,  モデル