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J-GLOBAL ID：201702255459289862   整理番号：17A0453596

低温,溶液処理薄膜トランジスタのためのp型銅酸化物のin situ一段階合成【Powered by NICT】

In situ one-step synthesis of p-type copper oxide for low-temperature, solution-processed thin-film transistors

著者 (9件)： Liu Ao (College of Physics, Qingdao University, Qingdao 266071, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Nie Shengbin ,  Liu Guoxia ,  Zhu Huihui ,  Zhu Chundan ,  Shin Byoungchul ,  Fortunato Elvira ,  Martins Rodrigo ,  Shan Fukai
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 10  ページ： 2524-2530  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理を行ったn型酸化物半導体は,薄膜トランジスタ(TFT)応用において大きな関心を集めている。しかし,溶液処理したp型酸化物半導体である材料選択とその複雑な作製手順の欠如のため,n型対応物としてとして成功しなかった。本研究では,単純な一段階合成法は室温でNaOH水溶液中のCuI膜のその場反応によるp型Cu_2O薄膜を作製した。アニーリング条件(≦350 °C)の関数としての構造,形態および成分変化を調べた。解析はCu_2O→Cu_2O+CuO→CuOの相変化はより高い温度で起こり,純粋なCuO相は250°Cで達成されたことを示した。Cu_xO薄膜の結晶度,平均粒径,および表面形態はアニーリング温度が増加するのに従って,斜面で増加することが分かった。半導体チャネル成分として得られたCu_xO膜の応用可能性を調べるために,SiO_2ゲート誘電体上のボトムゲート型TFTを構築し,検討した。最適化されたデバイスの正孔移動度は0.32cm~2V~ 1s~ 1,オン/オフ電流比5×10~4,および1.1V dec~ 1のサブしきい値スイングと計算された。Al_2O_3高k誘電体上のCu_xO膜のさらなる統合は2.5Vで改善されたデバイス性能を達成した。溶液ルート,低コストと全酸化物相補型金属-酸化物-半導体エレクトロニクスの開発に向けての大きなステップを表すによるp型Cu基薄膜とTFTを作製する簡単な方法を示すことに成功した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *酸化銅 ,  結晶度 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  アルミニウム ,  電子技術 ,  *薄膜 ,  酸化第二銅 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  表面形態 ,  酸化物半導体 ,  *一段合成 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  溶液処理 ,  薄膜トランジスタ ,  銅酸化物 ,  一段階合成