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J-GLOBAL ID：201702255672023717   整理番号：17A0280005

集積歪Si0.73Ge0.27チャネルと高k/金属ゲートを持つ高移動度P型MOSFET【Powered by NICT】

High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-κ/Metal Gates

著者 (6件)： Mao Shujuan (Integrated Circuit Advanced Process Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Zhengyong (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Guilei (Integrated Circuit Advanced Process Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Huilong (Integrated Circuit Advanced Process Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Li Junfeng (Integrated Circuit Advanced Process Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Chao (Integrated Circuit Advanced Process Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 118502-1-118502-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだSiO0.73Ge0.27チャンネルは置換ポストゲートプロセスを用いたp型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(pMOSFET)における高k/金属ゲートと一体化することに成功した。シリコンキャップと酸化物中間層はSiO0.73Ge0.27と高κ誘電体の間に挿入された界面を改善した。ゲート長30nmの作製したSiO0.73Ge0.27pMOSFETは高い駆動電流(V(DD)=1Vで~428μA/μm)と抑制された短チャネル効果(DIBL 77mV/VとSS 90mV/decade)の良好な性能を示した。有効正孔移動度の増大は,対応するシリコントランジスタと比較して長いゲート長Si0.5 0.73Ge0.27チャネルpMOSFETにおける200%までであることが分かった。ゲート長が減少すると素子性能の改善は,歪緩和により減少し,駆動電流の26%の増加は30nmゲート長SiO0.73Ge0.27デバイスで得られた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  誘電体 ,  短チャネル効果 ,  FET【トランジスタ】 ,  界面 ,  酸化物 ,  *チャネル
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  正孔移動度 ,  駆動電流 ,  ゲート長 ,  中間層 ,  pMOSFET ,  *高移動度 ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 歪Si(0.73)Ge(0.27) ,  チャネル ,  成功

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積 ,  歪 ,  チャネル ,  金属ゲート ,  高移動度 ,  p型MOSFET