文献

J-GLOBAL ID：201702255968402640 整理番号：17A0302147

高品質InPナノワイヤに基づく高性能光検出器【Powered by NICT】

High performance photodetectors based on high quality InP nanowires

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0302147&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで

著者 (14件)： , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 25 号： 11 ページ： 118106_01-118106_07 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

本論文では,高結晶品質の小口径InPナノワイヤを,化学蒸着法により合成した。高い結晶性とInPナノワイヤの大きな比表面積の利点を利用して,簡単に構築した光検出器は最大1170W( 1)の高感度と110msの高速立ち上がり時間と130msの立下り時間で2.8×10~5%の外部量子効率を示し,0.1Vの低いバイアスでもデバイスの光応答に及ぼすバックゲート電圧の影響を調べ,全運転における熱イオン電流およびトンネル電流を支配する光電流ことを確認した。金属と半導体との間の接合部でのエネルギーバンド理論に基づく機構を光検出器のバックゲート電圧依存性能を説明するために提案した。これらの説得力のある結果は,微細なInPナノワイヤは,スマートオプトエレクトロニクスにおける明るい将来を持つであろうことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

, , , , , , , ,
, , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： , , ,

測光と光検出器一般 , 光導電素子 , 半導体-金属接触

, , , ,

前のページに戻る

TOP

BOTTOM