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J-GLOBAL ID：201702255969964961   整理番号：17A0214174

RFIDと健康パッチのための柔軟な金属酸化物薄膜トランジスタ回路【Powered by NICT】

Flexible metal-oxide thin film transistor circuits for RFID and health patches

著者 (10件)： Heremans P. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  Papadopoulos N. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  de Jamblinne de Meux A. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  Nag M. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  Steudel S. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  Rockele M. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  Gelinck G. (Holst Centre, High Tech Campus 31, 5656AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Tripathi A. (National Centre for Flexible Electronics, IIT Kanpur, Kanpur-208016 India) ,  Genoe J. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium) ,  Myny K. (Hmec, Kapeldreef 75, B3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 6.3.1-6.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フレキシブルエレクトロニクスのための薄膜酸化物トランジスタの現状と将来展望を論じた。フォーカスの適用事例を基地局に無線で取得したデータを伝送するアナログセンサ界面としてのディジタルエレクトロニクスを含む柔軟な健康パッチである。は,機械的な曲げ中の非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド(a IGZO)の電子性能を調べた。n型非晶質酸化物半導体の電子トランジスタ性能をさらに高める,半導体を修正することによりまたはトランジスタアーキテクチャを改善することにより,いくつかの方法を検討した。アーキテクチャで構成されたアナログおよびディジタル回路,すべてのn型だけで非晶質酸化物技術に基づいて示した。回路の観点から,既知のn型非晶質半導体p型非晶質半導体マッチングの発見は非常に重要である。最も適したp型はSnOであるが,それは本質的に多結晶であり,n型SnO2の存在に起因するいくつかの両極性を示した。より良いp型半導体の探索,優先的に非晶質で,潜在的非晶質酸化物p型半導体のバンド構造への最近の洞察を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アナログ系 ,  界面 ,  多結晶 ,  ディジタル回路 ,  半導体 ,  非晶質半導体 ,  非晶質 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  マッチング ,  *トランジスタ ,  *RFID
準シソーラス用語： 両極性 ,  酸化物半導体 ,  フレキシブルエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFID ,  パッチ ,  金属酸化物薄膜 ,  トランジスタ回路