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J-GLOBAL ID:201702255990317923   整理番号:17A0885032

電離層EおよびF領域におけるイオンと電子密度プロフィルのモデルシミュレーション【Powered by NICT】

Model simulations of ion and electron density profiles in ionospheric E and F regions
著者 (2件):
資料名:
巻: 122  号:ページ: 2505-2529  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2389A  ISSN: 2169-9380  CODEN: JGREA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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イオンの密度プロファイル(すなわち,O~+(~2P),O~+(~2D),N_2~+,O~+(~4S),N~+,O_2~+,およびNO~+)とE及びF領域に於ける自由電子をシミュレートするための時間依存理論的数値モデルを開発した。このモデルでは,イオン光イオン化生成速度,光電子イオン化生産効果,およびイオン化した化学種と中性組成間の化学反応を考慮し,プラズマ輸送過程が含まれていない。シミュレーション結果は,太陽観測衛星(SDO)極端紫外線変動実験(SDO EVE)AE-C衛星測定,超高層大気物理上の計算のためのEUV流束モデル,Hinteregger福井Gilson太陽放射照度モデルにモデルシミュレーションの平均電子密度比は,それぞれ,0.97,0.79 0.7190 150高さ範囲における高さ範囲140 400km及び0.79,0.75,及び0.64kmとことを示した。比較は,本研究で開発したモデルによってシミュレートされた電子密度は国際標準電離層モデルによって予測され,熱圏電離圏電気力学大循環モデルによってシミュレートしたものよりAE-C衛星により行われた現場測定値とより一致することを示した。SDO-EVE太陽放射入力を用いたモデルシミュレーションは,光電子衝撃生産プロセスは正午頃高さ範囲130 400kmを通して全原子イオン密度の約20%~ 30%を寄与することを示した。しかし,分子イオン密度に及ぼす光電子生成効果は275km以上で非常に少量(約7%以下)。250km以下では,その効果は150kmでの250kmでO_2~+とN_2~+の高さの減少と共に増加し,約4%および10%から13%と27%であった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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イオンと分子の衝突・散乱  ,  電離層・熱圏  ,  その他の触媒 

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