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J-GLOBAL ID：201702256256528343   整理番号：17A0452159

望ましい濃度を用いた高純度H_2O_2の直接合成のためのH_2/O_2プラズマ反応の選択性制御【Powered by NICT】

Selectivity control of H₂/O₂ plasma reaction for direct synthesis of high purity H₂O₂ with desired concentration

著者 (10件)： Yi Yanhui (State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Xu Chao (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L693GJ, UK) ,  Wang Li (State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Yu Juan (State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Zhu Quanren (State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Sun Shuaiqi (State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Tu Xin (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L693GJ, UK) ,  Meng Changgong (School of Chemistry, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Zhang Jialiang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China) ,  Guo Hongchen (State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, Liaoning, China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 313  ページ： 37-46  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低選択性は化学分野におけるプラズマの応用を制限する重要な問題の一つである。高選択性と濃度H_2O_2であるH_2O_2の直接合成に重要である。H_2/O_2プラズマ反応の選択性は,比エネルギー入力(SEI)によって制御されることを報告する,すなわち低SEIは高H_2O_2選択性につながった。SEIは2.08J/mlに固定した時,H_2O_2選択性は17%O_2転化率で91%に達し,高濃度(90wt.%)H_2O_2溶液が達成された。プラズマ診断と理論計算結果は,低いSEIは低電子密度,高いH_2O_2選択性が低O_2変換をもたらすになることを示した。さらに,電子とH_2とO_2分子の衝突断面積は,平均電子エネルギー1 1~0.5eVのH_2/O_2プラズマは高い選択性と高いO_2変換とH_2O_2を合成できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 転化率 ,  電子密度 ,  *プラズマ化学反応 ,  *プラズマ ,  プラズマ診断
準シソーラス用語： 電子エネルギー ,  衝突断面積 ,  理論計算 ,  高濃度 ,  比エネルギー ,  *直接合成 ,  *高純度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： プラズマ化学 ,  過酸化水素 ,  直接合成 ,  選択性制御 ,  電子密度 ,  平均電子エネルギー

分類 (4件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  ガス化,ガス化プラント  (YE02040Q) ,  触媒操作  (XE01050T) ,  反応工学,反応速度論  (XE01020M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高純度 ,  直接合成 ,  プラズマ反応 ,  選択性