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J-GLOBAL ID：201702256629674523   整理番号：17A0591590

黒鉛状窒化炭素(g-C₃N₄)ナノシート/グラフェン複合材料: その場合成と高い光触媒性能

Graphitic Carbon Nitride (g-C₃N₄) Nanosheets/Graphene Composites: In Situ Synthesis and Enhanced Photocatalytic Performance

著者 (9件)： ZHU Kaixing (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  DU Yanyan (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  LIU Jing (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  FAN Xiaoyan (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  DUAN Zhenya (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  SONG Guanying (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  MENG Alan (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  LI Zhenjiang (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN) ,  LI Qingdang (Qingdao Univ. Sci. and Technol., Shandong, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 4  ページ： 2515-2519  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体に基づく光触媒が注目されている。新しい種類の光触媒として,積層二次元構造を持つg-C₃N₄が現れた。本研究では,g-C₃N₄/グラフェン複合材料を作製するための簡単なその場成長法を示した。窒素と炭素からg-C₃N₄ナノシートをグラフェン上に直接成長させ堆積させ,多孔質の三次元構造を形成した。グラフェンの導入により,光生成電子と正孔の再結合が大きく阻害された。模擬太陽光照射下のローダミンB分解に対するg-C₃N₄/グラフェン複合材料の光触媒活性は純g-C₃N₄と比べて二倍以上高かった。

シソーラス用語： *炭素化合物 ,  *窒化物 ,  半導体材料 ,  *グラフェン ,  ナノシート ,  複合材料 ,  *光触媒 ,  触媒調製 ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  芳香族アミン ,  芳香族カルボン酸 ,  酸素複素環化合物 ,  キノイド化合物 ,  インモニウム ,  芳香族縮合化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： *窒化炭素

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

物質索引 (1件)： ローダミンB

タイトルに関連する用語 (7件)： 黒鉛 ,  窒化炭素 ,  ナノシート ,  グラフェン ,  複合材料 ,  その場合成 ,  触媒性能