文献

J-GLOBAL ID：201702256699887958   整理番号：17A0764965

二段階化学蒸着法によりZNO薄膜とその場放出特性を調製した。【JST・京大機械翻訳】

The Preparation of ZnO Film by Two Step Chemical Deposition Method and Its Field Emission Properties

著者 (6件)： MA Yu-kun (Department of Physics,Zhengzhou University) ,  YAO Ning (Department of Physics,Zhengzhou University) ,  GAO Zhi-feng (Department of Physics,Zhengzhou University) ,  WANG Ai-hua (Department of Physics,Zhengzhou University) ,  QIN Yu-hua (Department of Physics,Zhengzhou University) ,  ZHANG Bing-lin (Department of Physics,Zhengzhou University)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 30  号： 3  ページ： 368-372  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低温で常圧下で,ITOガラスを基板とし,電気化学的方法と湿式化学法を組み合わせた二段階化学蒸着法により,ZNO/ZNO薄膜を調製した。薄膜の構造と表面形態をXRD,SEMにより解析し,高真空条件下でのダイオード構造の電界放出特性を試験した。安定した発射後に,ターンオン電界は3.0V/ΜMであった。電界が5.8V/ΜMのとき,電流密度は583.3ΜA/CM2であった。研究により;2段階化学蒸着法によって調製したZNO薄膜は,良好な電界放出特性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイオード ,  電流密度 ,  *化学蒸着 ,  電界放出 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  電気化学 ,  高真空 ,  低温 ,  電場
準シソーラス用語： ターンオン電界 ,  表面形態 ,  化学法 ,  ITOガラス ,  常圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ZnO film ,  two-step chemical deposition method ,  field emission

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  化学蒸着法 ,  ZnO薄膜 ,  放出 ,  調製