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J-GLOBAL ID：201702256836270013   整理番号：17A0666058

75nmゲートInAlAs/InGaAsH EMTにおける採用非対称ゲートリセス及び二重側ドープ構造によるf_max910GHzまでの増強【Powered by NICT】

Enhancement of $f_{¥mathrm {max}}$ to 910 GHz by Adopting Asymmetric Gate Recess and Double-Side-Doped Structure in 75-nm-Gate InAlAs/InGaAs HEMTs

著者 (7件)： Takahashi Tsuyoshi (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Kawano Yoichi (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Makiyama Kozo (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Shiba Shoichi (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan.) ,  Sato Masaru (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Nakasha Yasuhiro (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan) ,  Hara Naoki (Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 89-95  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 910GHzの振動(f_max)の高い最大周波数は非対称ゲートリセスと二重側ドープ構造を採用することにより,75nmの比較的長いゲート長(L_G)を有するInAlAs/InGaAs高電子移動度トランジスタ(HEMT)で達成された。f_maxは,ドレイン側ゲートリセス長(L_RD)を250nmに拡大することにより有意に改善した一方,ソース側ゲートリセス長(L_RS)は70nmに保たれていた。L_RD。g_dの拡張は,InP系H EMTへの二重側ドープ構造を適用することにより抑制された後f_maxの改善はドレイン出力コンダクタンス(g_d)とドレイン-ゲート静電容量(C_GD)の減少に起因した。L_Gはより長い値であってもg_dの減少はf_maxの劇的な改善をもたらした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： リン化インジウム ,  *非対称性 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  コンダクタンス ,  *ドーピング ,  HEMT ,  静電容量 ,  周波数
準シソーラス用語： *ヒ化インジウムアルミニウム ,  ゲート長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  InAlAs ,  EMT ,  採用 ,  非対称 ,  ドープ ,  増強