Takahashi Tsuyoshi について
Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan について
Kawano Yoichi について
Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan について
Makiyama Kozo について
Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan について
Shiba Shoichi について
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan. について
Sato Masaru について
Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan について
Nakasha Yasuhiro について
Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan について
Hara Naoki について
Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Japan について
IEEE Transactions on Electron Devices について
リン化インジウム について
非対称性 について
ヒ化ガリウムインジウム について
コンダクタンス について
ドーピング について
HEMT について
静電容量 について
周波数 について
ヒ化インジウムアルミニウム について
ゲート長 について
トランジスタ について
ゲート について
InAlAs について
EMT について
採用 について
非対称 について
ドープ について
増強 について