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J-GLOBAL ID：201702257533492445   整理番号：17A0057902

高直線性ステップ勾配AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

High linearity step-graded AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor

著者 (10件)： Fang Y. L. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Song X. B. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Feng Z. H. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Yin J. Y. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Zhang Z. R. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Wang B. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Guo Y. M. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Wang Y. G. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Lv Y. J. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China) ,  Cai S. J. (National key laboratory of ASIC, Hebei Semiconductor Research Institute, Hezuo Road, No. 113, Shijiazhuang, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 104-106  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 段階傾斜ヘテロ構造を用いたAlGaN/GaNH FETを設計・製作した。線形傾斜層を有するAlGaN/GaNH FETと比較して,ステップ傾斜層を有するAlGaN/GaNH FETは類似のデバイス性能,顕著な広い平坦な相互コンダクタンス特性を示した。AlGaN/GaN段階傾斜ヘテロ構造では,各段階層が個々でありさせる技術別々に制御することができた。特に均一性最適化のための,AlGaN/GaN段階傾斜ヘテロ構造の個別成長モードは各層を標的とした最適化を保証する。この階段状構造は,無線通信応用におけるGaNデバイスの工業化を促進するであろうことが期待される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 工業化 ,  線形性 ,  無線伝送 ,  相互コンダクタンス ,  *ヘテロ接合 ,  *窒化ガリウム ,  最適化 ,  FET【トランジスタ】 ,  成長モード ,  傾斜層 ,  ヘテロ構造 ,  *高直線性 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  改変
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高直線性 ,  勾配 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ