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J-GLOBAL ID：201702257544986507   整理番号：17A0448953

窒素ドープZnO膜中のテルルの支援によるV_Zn N_O受容体の形成【Powered by NICT】

Formation of V_Zn-N_O acceptors with the assistance of tellurium in nitrogen-doped ZnO films

著者 (6件)： Tang Kun (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China) ,  Zhu Shunming (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China) ,  Xu Zhonghua (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China) ,  Shen Yang (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China) ,  Ye Jiandong (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China) ,  Gu Shulin (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, 210093, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 484-488  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO膜におけるV_Zn N_O複雑な浅いアクセプタの形成を報告した。Oリッチ成長条件下でテルルと窒素共ドーピングにより,Te_Zn N_O複合体は安定的に形成することができる。適切なOリッチポストアニーリングプロセスは膜のテルルを作ることができ,最終的にV_Zn N_O複合体の形成をもたらした。このプロセスを一連の特性化法により証明された。この手法を用いて,窒素濃度の大きな窓の実現している正孔大部分。それ故,本研究はZnO材料のp型ボトルネックに関する調査を進めるのに役立つ可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  *受容体 ,  複合体 ,  *酸化亜鉛 ,  アクセプタ ,  キャラクタリゼーション ,  *窒素 ,  *テルル
準シソーラス用語： 窒素濃度 ,  共ドーピング ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化亜鉛 ,  浅いアクセプタ ,  テルルと窒素の同時ドーピング ,  窒素錯体

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドープ ,  ZnO ,  テルル ,  支援 ,  受容体