文献

J-GLOBAL ID：201702257560125246   整理番号：17A0793858

デバイスとデバイス作製のためのCVD重合体【Powered by NICT】

CVD Polymers for Devices and Device Fabrication

著者 (9件)： Wang Minghui (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Wang Xiaoxue (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Moni Priya (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Liu Andong (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Kim Do Han (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Jo Won Jun (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Sojoudi Hossein (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Sojoudi Hossein (Department of Mechanical, Industrial & Manufacturing Engineering, The University of Toledo, Toledo, Ohio, 43606, USA) ,  Gleason Karen K. (Department of Chemical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA, 02139, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201604606  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)重合は気相反応物から基板上の有機薄膜を合成した。誘電体,半導性,導電性,およびイオン伝導性CVDポリマはすべてのデバイスに容易に統合した。CVDプロセスにおける溶媒が存在しないことは,高純度層の成長を可能にし,脱濡れ現象の可能性,ピンホール欠陥をもたらすを回避した。制限汚染物質と欠陥により,超薄(<10 nm)CVD高分子デバイス層は多数の研究室で作製した。CVD法は不溶性導電性高分子,高密度有機官能基をもつ層,ロバストな架橋ネットワークを合成するのに特に適している。CVDポリマは粗い表面を覆う共形,紙及び繊維基板のそれと同様に,ミクロおよびナノ構造デバイスの複雑な形状のようなする能力について評価されている。低処理温度を用いることにより,CVD重合は損傷基板とその下の素子層を回避する。本報告では,主要なCVD重合法の機構とデバイスとデバイス作製への応用の最近の進歩を論じ,開始化学蒸着(iCVD)と酸化化学蒸着(oCVD)重合に重点を置いた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 気相反応 ,  導電性高分子 ,  導電性 ,  *重合体 ,  汚染物質 ,  イオン伝導 ,  化学蒸着 ,  ナノ構造 ,  分子素子 ,  *重合 ,  不溶性 ,  半導性 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 官能基 ,  有機薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CVD ,  装置 ,  エレクトロニクス ,  膜 ,  重合体

分類 (3件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 作製 ,  CVD ,  重合体