文献

J-GLOBAL ID：201702257613519149   整理番号：17A0353911

金属と超薄膜非晶質膜の接触特性研究【JST・京大機械翻訳】

STUDY OF CONTACT CHARACTERISTICS OF METALS ON ULTRA-THIN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON LAYERS

著者 (6件)： Liu Meiling (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Research Center for New Energy Technology,Chinese Academy of Science) ,  Yu Jian (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Research Center for New Energy Technology,Chinese Academy of Science) ,  Bian Jiantao (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Research Center for New Energy Technology,Chinese Academy of Science) ,  Zhang Liping (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Research Center for New Energy Technology,Chinese Academy of Science) ,  Meng Fanying (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Research Center for New Energy Technology,Chinese Academy of Science) ,  Liu Zhengxin (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Research Center for New Energy Technology,Chinese Academy of Science)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 37  号： 11  ページ： 2952-2957  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 金属と非晶質シリコン薄膜(A-SI:H)の接触特性を研究し,結晶シリコン太陽電池の新しい電極技術開発に用いた。プラズマ強化化学蒸着(PECVD)技術を用いて,超薄膜(~10NM)A-Iを調製した。金属薄膜を真空蒸着技術により作製し,ドット(伝送)により研究した。Hと異なる金属(AL,NI,TI,IN)の接触特性を調べた。低温焼なまし後にAを得た。HとNI,AL,TIは良好なオーム接触を得ることができた。200°Cでアニールした後に,P型非晶質シリコン薄膜が得られた。HとALの比抵抗は0.3MΩCM2に低下した。N型非晶質SI:N-A-SI;HとTIの比接触抵抗は0.7MΩCM2に低下し,これらの2つの金属がAに直接適用できることを示した。H薄膜の表面電極。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマCVD ,  焼なまし ,  アモルファスシリコン ,  電気抵抗率 ,  金属薄膜 ,  Ohm接触 ,  *薄膜 ,  真空蒸着 ,  *超薄膜 ,  *非晶質 ,  低温 ,  シリコン薄膜 ,  結晶シリコン太陽電池 ,  *非晶質膜
準シソーラス用語： 比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ultrathin film amorphous silicon ,  ohmic contact ,  low temperature annealing ,  specific contact resistance

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超薄膜 ,  非晶質膜 ,  研究