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J-GLOBAL ID：201702257778010270   整理番号：17A0852601

BTI関連パラメータの統計的特性化のためのスケーラブルなデバイスアレイ【Powered by NICT】

Scalable Device Array for Statistical Characterization of BTI-Related Parameters

著者 (3件)： Awano Hiromitsu (VLSI Design and Education Center, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Morita Shumpei (Department of Communications and Computer Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Sato Takashi (Department of Communications and Computer Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems  (IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 25  号： 4  ページ： 1455-1466  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0516A  ISSN： 1063-8210  CODEN： ITCOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタの数に関してスケーラブル,素子アレイ回路を提案した。提案したアレイは,多数の装置に正確で同時バイアス電圧印加を促進し,それはデバイス劣化の測定に基づく統計的特性化に適している,バイアス温度不安定性として知られている。提案したアレイを用いて,千個のトランジスタの分解測定は,実用的な時間で可能になった。実験の結果は,欠陥中心モデルはしきい値電圧シフト(ΔV_TH)の大きさの統計的変動を近似することができ,ΔV_THの分散は,トランジスタのチャネル領域に逆関係があることを示した。acストレス条件下で分解変動も初めて提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  チャネル ,  *トランジスタ ,  アレイ回路
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  バイアス温度不安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： BTI ,  パラメータ ,  統計的特性 ,  アレイ