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J-GLOBAL ID：201702257929410097   整理番号：17A0312199

多結晶CuInS_2薄膜の物理的性質に及ぼす後処理の影響【Powered by NICT】

The influence of post treatment on physical properties of polycrystalline CuInS₂ thin films

著者 (8件)： Shen Jiesheng (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Liu Xingzuo (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Zhao Yue (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Cao Meng (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Liang Xiaoyan (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Min Jiahua (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Wang Linjun (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China) ,  Shi Weimin (Department of Electronic Information Materials, Shanghai Leading Academic Disciplines, Shanghai University, Shanghai 200072, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 50  ページ： 49-54  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInS_2(CIS)膜を,真空蒸着法により作製し,ソーダ石灰ガラスを基板として用いた。多結晶CISインゴットから破砕CIS粉末を出発材料として用いた。,調製したCIS膜は400°Cで30分間S雰囲気中で熱処理した。焼なまし後,いくつかのCIS膜をアルゴンプラズマまたは臭素メタノール(BM)混合溶液によりエッチングした。XRDパターンの結果は,アルゴンプラズマ処理は完全にCIS膜の表面にCu_xS相を除去できることを示した。アルゴンプラズマ処理後,CIS膜の伝導型は変化を示さなかったが,これはアルゴンプラズマ処理は表面原子の除去では特異な選択性を有することを示した。さらに,CIS膜のEDX測定の結果,Cu/In原子比はBM溶液エッチング時間の増加,これはBM溶液の優先的な腐食に関連しているかもしれないと単調な減少傾向を示した。さらに,Hall測定の結果は,BM溶液のエッチング後,CIS膜の伝導型はBM溶液の優先的な腐食,以前発表された論文の結果と一致したに起因するp型からn型にすることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： インゴット ,  X線回折 ,  *後処理 ,  エッチング ,  粉体 ,  アルゴン ,  真空蒸着 ,  熱処理 ,  焼なまし ,  *多結晶 ,  プラズマ処理 ,  ソーダ石灰ガラス ,  混合液体 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 原子比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CuInS_2膜 ,  熱処理 ,  BM治療 ,  アルゴンプラズマエッチング

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶 ,  薄膜 ,  物理的性質 ,  後処理