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J-GLOBAL ID：201702258007136280   整理番号：17A0352478

Si(001)基板上のV溝トレンチにおけるGaAs成長のナノスケール空間相変調【Powered by NICT】

Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate

著者 (7件)： Li Shiyan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhou Xuliang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Kong Xiangting (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Mengke (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Mi Junping (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Mengqi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Pan Jiaoqing (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 128101-1-128101-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,有機金属気相エピタクシーによりSi(001)基板上に作製したV字形溝トレンチ中のGaAs成長のナノスケール空間相変調を報告した。Si{111}面に平行な積層欠陥の高い密度を持つ二種類の六方晶GaAs領域を観測した。歪緩和と欠陥のない立方晶相GaAsは,これらの高度に欠陥領域以上で達成された。高分解能透過型電子顕微鏡と高速Fourier変換分析は,GaAs/Si界面のこれらの領域を特性化した。もこの人工操作表面上に選択的に成長させたGaAsの歪緩和機構と相構造変調を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  MOCVD ,  積層欠陥 ,  高速Fourier変換 ,  *ヒ化ガリウム ,  六方晶系 ,  *ケイ素 ,  界面
準シソーラス用語： HRTEM ,  歪緩和 ,  *ナノスケール ,  *トレンチ ,  *V溝 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 位相変調 ,  GaAs ,  溝 ,  Si

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  V溝 ,  トレンチ ,  GaAs ,  成長 ,  スケール空間 ,  変調