高速-中性子-照射ドーピングによって示されたMg<sub>2</sub>Si熱電材料の異例の電子特性

KARKIN Alexander E.; VORONIN Vladimir I.; MOROZOVA Natalia V.; OVSYANNIKOV Sergey V.; OVSYANNIKOV Sergey V.; TAKARABE Ken-ichi; MORI Yoshihisa; NAKAMURA Shigeyuki; SHCHENNIKOV Vladimir V.

文献

J-GLOBAL ID：201702258052943288 整理番号：17A0244940

高速-中性子-照射ドーピングによって示されたMg₂Si熱電材料の異例の電子特性

Unconventional Electronic Properties of Mg₂Si Thermoelectrics Revealed by Fast-Neutron-Irradiation Doping

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巻： 120 号： 18 ページ： 9692-9701 発行年： 2016年05月12日
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Al-ドープMg₂Si熱電材料の電気抵抗,ホール,および磁気抵抗効果を調べるために,この熱電材料を高速中性子のフルエンスで照射し,この材料のバルク中で非常に高い濃度の点欠陥を生成させた。それらのアニーリングの異なるステージで照射されたMg₂Si:Alの試料の電気および電磁気特性を系統的に調べた。275-325°Cの適度の高温でのアニーリング後に,Mg₂Si:Alが数オーダーの大きさ電気抵抗値がジャンプすることを確認した。Mg₂Siの立方逆蛍石型構造中で最も起こり得る点欠陥を解析し,この電気輸送特性の劇的な変化へこれらの照射欠陥の温度-アシスト化学結合を関連付ける,簡単なモデルを提案した。

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