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J-GLOBAL ID：201702258106357443   整理番号：17A0703898

Si面6H-SiCの化学機械平坦化におけるアブレシブ粒子と基板表面の間の相互作用の役割【Powered by NICT】

The role of interactions between abrasive particles and the substrate surface in chemical-mechanical planarization of Si-face 6H-SiC

著者 (5件)： Chen Guomei (School of Mechanical Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Ni Zifeng ,  Bai Yawen ,  Li Qingzhong ,  Zhao Yongwu
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 28  ページ： 16938-16952  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アブレシブ粒子とウエハ表面の間の相互作用は,化学的-機械的平坦化(CMP)プロセスにおける重要な役割を果たしている。シリカまたはセリアナノ粒子間の相互作用と種々のpH値を持つ種々のスラリー中のSi面(0001)6H-SiCのCMPに及ぼす基板表面の影響をゼータ電位測定,SEM観察,摩擦試験,研磨実験とXPS分析を用いて調べた。一方,基板表面とアブレシブナノ粒子間の相互作用力は,Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek(DLVO)理論を用いて推定した。シリカ粒子はpHが5以下のSi面6H-SiC表面に付着する傾向がある,5以上の反発が,セリア粒子は,同様に荷電したと反対に帯電した6H-SiC表面に付着する傾向があった。これはセリア粒子は化学歯を有しているという事実に起因するとSi-O-Ce結合がセリア粒子と6H-SiC表面間に形成された。6H-SiCのCMP(化学的機械的研磨中の摩擦係数と材料除去速度はpHが2と4での静電相互作用に起因する6H-SiC表面上のシリカ粒子の付着により著しく減少することができ,一方セリア粒子が吸着されたとき,この現象は観察されなかった。XPS分析は,より酸化された種(例えばSi-C-O,Si O_x C_y,Si O_2,Si_4C_4x O_2,Si_4 C_4 O_4およびC-O)は水溶液中の浸漬中に形成されたことを示した。KMnO_4解。最後に,アブレシブ粒子間の理想的な静電相互作用とCMPプロセス中の6H-SiC基板表面を提案した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ζ電位 ,  ナノ粒子 ,  *ケイ素 ,  静電相互作用 ,  摩擦試験 ,  スラリー ,  水溶液 ,  摩擦係数 ,  *炭化ケイ素 ,  *化学機械研磨 ,  浸漬 ,  X線光電子分光法 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *平坦化 ,  *6H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  細胞生理一般  (EF02010S) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  6H-SiC ,  化学機械平坦化 ,  基板表面 ,  相互作用 ,  役割