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J-GLOBAL ID：201702258268507850   整理番号：17A0123766

変化マグネトロンスパッタリングパラメータによるZnSnO_3フィルムの構造と性質の特性【Powered by NICT】

Characteristics of the Structure and Properties of ZnSnO_3 Films by Varying the Magnetron Sputtering Parameters

著者 (6件)： Wu Fayu (Laser Advanced Manufacturing Technology Center, School of Materials and Metallurgy, University of Science and Technology Liaoning) ,  Li Jianwei (Laser Advanced Manufacturing Technology Center, School of Materials and Metallurgy, University of Science and Technology Liaoning) ,  Qi Yi (SINOTRUK (Hong Kong) Limited Jinan Casting and Forging Center) ,  Ding Wutong (School of Material Science and Engineering, Shenyang University of Technology) ,  Guo Yuanyuan (Laser Advanced Manufacturing Technology Center, School of Materials and Metallurgy, University of Science and Technology Liaoning) ,  Zhou Yanwen (Laser Advanced Manufacturing Technology Center, School of Materials and Metallurgy, University of Science and Technology Liaoning)
資料名： Acta Metallurgica Sinica  (Acta Metallurgica Sinica)
巻： 29  号： 9  ページ： 827-833  発行年： 2016年 
JST資料番号： C5023A  ISSN： 1006-7191  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物ZnSnO_3膜は粉末ターゲットからの高周波マグネトロンスパッタリングにより調製し,X線光電子分光法,X線回折,透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,表面プロファイル,UV-Vis分光法とH all効果によりキャラクタライズした。膜の構造は蒸着時間,ターゲット電力,チャンバ圧力,及びターゲット-基板間距離を含むスパッタリングパラメータに依存して非晶質あるいはナノ結晶であった。可視波長内ZnSnO_3膜の平均透過率は約80%であり,ZnSnO_3膜の抵抗率は10~( 3) 10( 4)cmの範囲であった。ZnSnO_3膜の構造的,光学的および電気的性質は,スパッタリングプロセスを最適化する,特殊な性質を持つ材料を可能にする設計することにより調整し,制御することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  X線回折 ,  電気抵抗率 ,  ナノ結晶 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電力 ,  波長 ,  原子間力顕微鏡 ,  最適化 ,  X線光電子分光法 ,  透過率 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： チャンバ ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  透明導電性酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnSnO_3膜 ,  粉末ターゲット ,  マグネトロンスパッタリング ,  光学的性質 ,  電気特性

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： マグネトロンスパッタリング ,  パラメータ ,  フィルム ,  性質