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J-GLOBAL ID：201702258402726420   整理番号：17A0451562

単結晶シリコン中の亀裂発生挙動【Powered by NICT】

Crack initiation behavior in single crystalline silicon

著者 (4件)： Zhao Lv (Univ Lyon, INSA-CNRS UMR5259, LaMCoS, F-69621 Lyon, France) ,  Bardel Didier (Univ Lyon, INSA-CNRS UMR5259, LaMCoS, F-69621 Lyon, France) ,  Maynadier Anne (Univ Lyon, INSA-CNRS UMR5259, LaMCoS, F-69621 Lyon, France) ,  Nelias Daniel (Univ Lyon, INSA-CNRS UMR5259, LaMCoS, F-69621 Lyon, France)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 130  ページ： 83-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン単結晶の(110)へき開の特別な破壊発生挙動を報告した。静的エネルギー解放率は亀裂発生に及ぼす材料靭性を超える常にことが分かった。高速イメージング測定と破面によれば,亀裂は重要な初期速度を持つ,すなわち3000m/sまで,定常状態伝搬領域に達する非常に迅速であることが分かった。実験的に明らかにした初期亀裂速度は亀裂発生でのエネルギー流束からの推定と良く一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 靱性 ,  *ケイ素 ,  *単結晶 ,  破面 ,  エネルギー解放率 ,  *亀裂 ,  *亀裂発生
準シソーラス用語： 定常状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 破壊 ,  静的エネルギー解放率 ,  フラクトグラフィー ,  亀裂速度 ,  シリコン単結晶

分類 (2件)： 金属材料  (HC05020S) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶シリコン ,  亀裂発生 ,  挙動