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J-GLOBAL ID：201702258555559582   整理番号：17A0547403

GaN多孔質構造の形状およびキャリア濃度の違いとインピーダンス特性について

著者 (4件)： 伊藤圭亮 (北大 量集セ) ,  ZHANG Xiaoyi (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-315-1  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  多孔質体 ,  *キャリア密度 ,  走査電子顕微鏡 ,  等価回路 ,  位相シフト ,  *電気化学インピーダンス ,  Bode線図
準シソーラス用語： GaN ,  キャリア濃度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  多孔質構造 ,  キャリア濃度 ,  インピーダンス特性