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J-GLOBAL ID：201702258908845460   整理番号：17A0400996

ハイブリッド絶縁体を用いた柔軟で高ノイズマージン有機増強インバータ【Powered by NICT】

Flexible and high noise margin organic enhancement inverter using hybrid insulator

著者 (7件)： Lee Dong-Hoon (The School of Electronics and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea) ,  Kim Jinsu (The SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea) ,  Cho Hyeong-Jun (The School of Electronics and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea) ,  Kim Min Su (The School of Electronics and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea) ,  Park Eung-Kyu (The School of Electronics and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea) ,  Lee Nae Eung (The SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea) ,  Kim Yong-Sang (The School of Electronics and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi 440-746, South Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 622  ページ： 29-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機-無機ハイブリッド絶縁体に基づく高雑音余裕および高度に柔軟な増強インバータを実証した。有機絶縁体は一般的に高い漏れ電流を示し,無機絶縁体である脆い。本研究では,各単一型絶縁体の限界を克服するためのペンタセンベースの有機薄膜トランジスタ(OTFT)を用いたハイブリッド絶縁体。ポリ(メチルメタクリラート)/ケイ素ニトリドハイブリッド絶縁体を用いた減少しきい値電圧とヒステリシスが無視できる高度に柔軟なOTFTを報告した。最適化ハイブリッド絶縁体を用いて,2.2Vの低雑音余裕,14.1Vの高い雑音余裕および2.1の利得と高い雑音余裕を示す増強インバータを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  有機-無機ハイブリッド ,  雑音余裕 ,  ヒステリシス ,  漏れ電流 ,  最適化 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ハイブリッド絶縁体 ,  有機薄膜トランジスタ ,  増強インバータ ,  高雑音余裕

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁体 ,  ノイズ ,  増強 ,  インバータ